封装：	SMD	功能结构：	数/模混合集成电路
制作工艺：	半导体集成电路	导电类型：	双极型
外形：	双列直插型	集成度高低：	大规模集成电路
应用领域：	标准通用	型号：	TGNTR
规格：	04+	商标：	HALO
包装：	3000/包

随着MOS器件特征尺寸缩小至纳米尺度,短沟道效应
(SCE)、漏致感应势垒降低(DIBL)效应[1]等小尺寸效应
对器件性能的影响愈来愈突出。为了有效抑制短沟道效
应,对沟道区进行横向非均匀掺杂 的Halo注入[2-3]在纳
米尺度MOS器件制作中广泛 应用。图1是采用Halo注入的
NMOS器件结构示意图,Halo注入使沟道区离子浓度在横向
上呈现两端高中间低的分布,靠近源漏处的高掺杂可以有
效抑制源漏耗尽区向沟道内的扩展,减少电荷共享,防止
源漏穿通,从而抑制短沟道效应及DIBL效应[4-8];而在远
离源漏结的沟道处,离子掺杂浓度较低,可以保持较高的
载流子迁移率。